2N5457_D27Z

2N5457, 2N5457_D26Z, 2N5457_D27Z, 2N5457_D74Z, 2N5457_D75Z, 2N5457G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N5457_D26Z2N5457_D27Z2N5457_D74Z2N5457_D75Z2N5457G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<310 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
<7 пФVds = 15V
Напряжение отсечки
U0
500 мВId = 10nA
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Напряжение пробоя затвор-исток
VBRGSS
>25 В