Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
КП314
КП314А
 
<200 мВт
<200 мВт
>4при Uси = 10 В
>4при Uси = 10 В
2.5 А ~ 20 Апри U = 10 В
2.5 А ~ 20 Апри U = 10 В
100 пАпри Uсз = 10В
100 пАпри Uсз = 10В
6 пФ
6 пФ
2 пФ
2 пФ
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<20 мА
<20 мА
 
 
JFET
JFET
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
КПС315
КПС315А
КПС315Б
 
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
>2.8при Iс = 5 мА
1 ~ 5при Iс = 5 мА
1 А ~ 20 А
1 А ~ 20 А
1 А ~ 20 А
 
250 пАпри Uсз = 5В
1 нАпри Uсз = 5В
8 пФ
8 пФ
8 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2ПС316
2ПС316А1
2ПС316Б1
▾
 
<60 мВт
<60 мВт
<60 мВт
>0.5при Iс = 0.3 мА
>0.5при Iс = 0.3 мА
>0.5при Iс = 0.3 мА
 
 
 
 
100 пАпри Uсз = 5В
1 нАпри Uсз = 5В
6 пФ
6 пФ
6 пФ
2 пФ
2 пФ
2 пФ
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П320
3П320А-2
3П320Б-2
 
4.5 дБпри f = 8 ГГц
6 дБпри f = 8 ГГц
<80 мВт
<80 мВт
<80 мВт
5 ~ 16при Iс = 10 мА
5 ~ 16при Iс = 10 мА
5 ~ 16при Iс = 10 мА
 
 
 
20 мкА
20 мкА
20 мкА
0.18 пФ
0.18 пФ
0.18 пФ
0.15 пФ
0.15 пФ
0.15 пФ
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<8 В
<5 В
<5 В
<5 В
<4 В
<4 В
<4 В
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П321
3П321А-2
3.5 дБпри f = 8 ГГц
3.5 дБпри f = 8 ГГц
<30 мВт
<30 мВт
5 ~ 25при Iс = 8 мА
5 ~ 25при Iс = 8 мА
 
 
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<4 В
<4 В
<3 В
<3 В
<3 В
<3 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
КП322
КП322А
6 дБпри f = 0.25 ГГц
6 дБпри f = 0.25 ГГц
<200 мВт
<200 мВт
4 ~ 6.3при Uси = 10 В
4 ~ 6.3при Uси = 10 В
5 А ~ 24 Апри U = 10 В
5 А ~ 24 Апри U = 10 В
10 нАпри Uсз = 10В
10 нАпри Uсз = 10В
6 пФ
6 пФ
0.2 пФ
0.2 пФ
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<20 В
<20 В
<20 В
<20 В
<40 мА
<40 мА
 
 
JFET
JFET
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
КП323
КП323А-2
КП323Б-2
 
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
4 ~ 5.8при Uси = 10 В
4 ~ 5.8при Uси = 10 В
4 ~ 5.8при Uси = 10 В
3 А ~ 12 Апри U = 10 В
3 А ~ 12 Апри U = 10 В
3 А ~ 12 Апри U = 10 В
 
100 пАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
4 пФ
4 пФ
4 пФ
1.2 пФ
1.2 пФ
1.2 пФ
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<20 В
<20 В
<20 В
 
<12 мА
<5 мА
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П324
3П324А-2
3П324Б-2
 
3.5 дБпри f = 12 ГГц
5 дБпри f = 12 ГГц
<60 мВт
<60 мВт
<60 мВт
5 ~ 10при Iс = 10 мА
5 ~ 10при Iс = 10 мА
5 ~ 10при Iс = 10 мА
 
 
 
20 мкА
20 мкА
20 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<9 В
<9 В
<9 В
<5 В
<5 В
<5 В
<4 В
<4 В
<4 В
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П325
3П325А-2
2 дБпри f = 8 ГГц
2 дБпри f = 8 ГГц
<25 мВт
<25 мВт
>8при Iс = 10 мА
>8при Iс = 10 мА
30 А ~ 100 Апри U = 3 В
30 А ~ 100 Апри U = 3 В
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<3.5 В
<3.5 В
<2.5 В
<2.5 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П326
3П326А-2
3П326Б-2
 
4.5 дБпри f = 17 ГГц
5.5 дБпри f = 17 ГГц
<30 мВт
<30 мВт
<30 мВт
8 ~ 16при Iс = 8 мА
8 ~ 16при Iс = 8 мА
8 ~ 16при Iс = 8 мА
25 А ~ 70 Апри U = 2.5 В
25 А ~ 70 Апри U = 2.5 В
25 А ~ 70 Апри U = 2.5 В
5 мкА
5 мкА
5 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5.5 В
<5.5 В
<5.5 В
<4 В
<4 В
<4 В
<2.5 В
<2.5 В
<2.5 В
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Доход от майнинга