Доход от майнинга

2ПС316А1

2ПС316, 2ПС316А1, 2ПС316Б1, 2ПС316В1, 2ПС316Г1, 2ПС316Д1, 2ПС316Е1, 2ПС316Ж1, 2ПС316И1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2ПС316А12ПС316Б12ПС316В12ПС316Г12ПС316Д12ПС316Е12ПС316Ж12ПС316И1
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<60 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>0.5при Iс = 0.3 мА
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
100 пАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В500 пАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В1 нАпри Uсз = 5В
Входная емкость полевого транзистора
C11
6 пФ
Проходная емкость
C12
2 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<25 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<25 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch