На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | 2ПС316А1 | 2ПС316Б1 | 2ПС316В1 | 2ПС316Г1 | 2ПС316Д1 | 2ПС316Е1 | 2ПС316Ж1 | 2ПС316И1 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||||||||
Мощность | P | <60 мВт | |||||||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >0.5при Iс = 0.3 мА | |||||||
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 100 пАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В | 500 пАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В | 1 нАпри Uсз = 5В |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6 пФ | |||||||
Проходная емкость | C12 | 2 пФ | |||||||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <25 В | |||||||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <25 В | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | |||||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |