Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
PN4861
 
<625 мВт
 
 
 
<18 пФVds = 10V
 
 
4 ВId = 0.5nA
 
 
<30 В
>80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
N-ch
<60 Ом
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
PN5432
PN5432_D27Z
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
4 ВId = 3nA
4 ВId = 3nA
 
 
 
 
 
 
>150 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>150 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5 Ом
<5 Ом
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PN5434
PN5434_D26Z
PN5434_D27Z
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
<30 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
1 ВId = 3nA
1 ВId = 3nA
1 ВId = 3nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<10 Ом
<10 Ом
<10 Ом
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
TF252
TF252TH-5-TL-H
 
 
<100 мВт
<100 мВт
 
 
 
 
 
 
<3.1 пФVds = 2V
<3.1 пФVds = 2V
 
 
 
 
1 ВId = 1µA
1 ВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
210 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
210 мкА ~ 1 мАmin.: Vgs=0; Vds=2V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
TIS74
TIS74_J35Z
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<18 пФVds = 10V (VGS)
<18 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
2 ВId = 4nA
2 ВId = 4nA
 
 
 
 
 
 
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<40 Ом
<40 Ом
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
TIS75
TIS75_D26Z
TIS75_D75Z
▾
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<18 пФVds = 10V (VGS)
<18 пФVds = 10V (VGS)
<18 пФVds = 10V (VGS)
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 4nA
800 мВId = 4nA
800 мВId = 4nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<60 Ом
<60 Ом
<60 Ом
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
U1897
 
<625 мВт
 
 
 
<16 пФVds = 20V
 
 
5 ВId = 1nA
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
N-ch
<30 Ом
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
U1898
U1898_D27Z
 
 
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
<16 пФVds = 20V
<16 пФVds = 20V
 
 
 
 
2 ВId = 1nA
2 ВId = 1nA
 
 
 
 
 
 
>15 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
>15 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PMBFJ620
PMBFJ620,115
 
 
<190 мВт
<190 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
2 ВId = 1µA
2 ВId = 1µA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>24 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 Ом
<50 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2N7000
2N7000_D26Z
2N7000_D74Z
▾
 
 
 
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 пФVds = 25V
50 пФVds = 25V
50 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor