На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TIS75_D26Z | TIS75_D75Z | TIS75_J35Z | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <350 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <18 пФVds = 10V (VGS) | ||
Напряжение отсечки | U0 | 800 мВId = 4nA | ||
Постоянный ток стока | IDSS | >8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 Ом | ||
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >30 В | ||