2N7000

2N7000, 2N7000,126, 2N7000BU, 2N7000_D26Z, 2N7000_D74Z, 2N7000_D75Z, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG, 2N7000RLRPG, 2N7000TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N7000,1262N7000BU2N7000_D26Z2N7000_D74Z2N7000_D75Z2N7000G2N7000RLRA2N7000RLRAG2N7000RLRMG2N7000RLRPG2N7000TA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<830 мВт<400 мВт<400 мВт<400 мВт<400 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<400 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
40 пФVds = 10V30 пФVds = 25V50 пФVds = 25V50 пФVds = 25V50 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V30 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<300 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™STripFET™
Заряд затвора
QG
2 нC
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate