Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
 
<200 мВт
<300 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-72-3, SPT
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>70Ic, Vce = 50mA, 5V
>70Ic, Vce = 50mA, 5V
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
>820Ic, Vce = 50mA, 5V
>820Ic, Vce = 50mA, 5V
>820Ic, Vce = 50mA, 5V
<150 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<150 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<150 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>33Ic, Vce = 50mA, 5V
>82Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<200 мВт
<300 мВт
 
 
 
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-72-3, SPT
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>47Ic, Vce = 50mA, 5V
>47Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>39Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor