На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DTD113EKT146 | DTD113ZKT146 | DTD113ZUT106 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >33Ic, Vce = 50mA, 5V | >82Ic, Vce = 50mA, 5V | >82Ic, Vce = 50mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | ||
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм | ||
Опір між емітером та базою | RE-B | 1 кОм | 10 кОм | 10 кОм |