DTC363EUT106

DTC363, DTC363EKT146, DTC363EUT106, DTC363TKT146, DTC363TSTP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTC363EKT146DTC363EUT106DTC363TKT146DTC363TSTP
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPT
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В<20 В<15 В<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<200 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>70Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
6.8 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
6.8 кОм6.8 кОм(не задано)(не задано)