MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
56 нCVgs = 10V
56 нCVgs = 10V
56 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.72 нФVds = 25V
1.72 нФVds = 25V
1.72 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<5.4 А
<5.4 А
<5.4 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<39 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V
<39 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V
<39 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9mm Width)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.82 нФVds = 25V
1.82 нФVds = 25V
1.82 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<3.7 А
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<79 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<79 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<79 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
53 нCVgs = 10V
53 нCVgs = 10V
53 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.51 нФVds = 25V
1.51 нФVds = 25V
1.51 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<9.3 А
<9.3 А
<9.3 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<15 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
<15 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
<15 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
54 нCVgs = 10V
54 нCVgs = 10V
54 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<3 Вт
<3 Вт
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.75 нФVds = 25V
1.75 нФVds = 25V
1.75 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
<5.2 А
<5.2 А
<5.2 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<44 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<44 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<44 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
51 нCVgs = 10V
51 нCVgs = 10V
51 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.53 нФVds = 25V
1.53 нФVds = 25V
1.53 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<7.3 А
<7.3 А
<7.3 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<22 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.4 А
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
210 пФVds = 25V
210 пФVds = 25V
210 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<2.7 А
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<130 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
8.2 нCVgs = 4.5V
8.2 нCVgs = 4.5V
8.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 15V
240 пФVds = 15V
240 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<1.7 А
<1.7 А
<1.7 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
11 нCVgs = 10V
11 нCVgs = 10V
11 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
180 пФVds = 25V
180 пФVds = 25V
180 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
<200 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
<200 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
15 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.066 нФVds = 10V
1.066 нФVds = 10V
1.066 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<4.3 А
<4.3 А
<4.3 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<55 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V
<55 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V
<55 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier