На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7524D1PBF | IRF7524D1TR | IRF7524D1TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Micro8™ | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.25 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 240 пФVds = 15V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <1.7 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V | ||
Серія MOSFET | Серія | FETKY™ | ||
Заряд затвору | QG | 8.2 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | ||