На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7523D1 | IRF7523D1PBF | IRF7523D1TR | IRF7523D1TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Micro8™ | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.25 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 210 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.7 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | FETKY™ | |||
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |||