MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
45 нCVgs = 4.5V
45 нCVgs = 4.5V
45 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.97 нФVds = 15V
3.97 нФVds = 15V
3.97 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<24 А
<24 А
<24 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.3 мОмId, Vgs = 24A, 10V
<3.3 мОмId, Vgs = 24A, 10V
<3.3 мОмId, Vgs = 24A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
HEXFET®
 
63 нCVgs = 4.5V
63 нCVgs = 4.5V
63 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.95 нФVds = 15V
5.95 нФVds = 15V
5.95 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<23 А
<23 А
<23 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.4 мОмId, Vgs = 23A, 10V
<3.4 мОмId, Vgs = 23A, 10V
<3.4 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
29 нCVgs = 4.5V
29 нCVgs = 4.5V
29 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.1 Вт
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.56 нФVds = 20V
2.56 нФVds = 20V
2.56 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<12.7 А
<12.7 А
<12.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<8.3 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
<8.3 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
<8.3 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric ST
DirectFET™ Isometric ST
DirectFET™ Isometric ST
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
HEXFET®
44 нCVgs = 4.5V
44 нCVgs = 4.5V
44 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.765 нФVds = 20V
3.765 нФVds = 20V
3.765 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 В
<19 А
<19 А
<19 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5 мОмId, Vgs = 19A, 10V
<5 мОмId, Vgs = 19A, 10V
<5 мОмId, Vgs = 19A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.1 Вт
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.3 нФVds = 15V
1.3 нФVds = 15V
1.3 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<14 А
<14 А
<14 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<8.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric ST
DirectFET™ Isometric ST
DirectFET™ Isometric ST
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
65 нCVgs = 4.5V
65 нCVgs = 4.5V
65 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.64 нФVds = 15V
5.64 нФVds = 15V
5.64 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 А
<30 А
<30 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
57 нCVgs = 4.5V
57 нCVgs = 4.5V
57 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.04 нФVds = 10V
5.04 нФVds = 10V
5.04 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<30 А
<30 А
<30 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
42 нCVgs = 4.5V
42 нCVgs = 4.5V
42 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.13 нФVds = 10V
4.13 нФVds = 10V
4.13 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<27 А
<27 А
<27 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.7 мОмId, Vgs = 27A, 10V
<2.7 мОмId, Vgs = 27A, 10V
<2.7 мОмId, Vgs = 27A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
17.5 нCVgs = 4.5V
17.5 нCVgs = 4.5V
17.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.2 Вт
<2.2 Вт
<2.2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.46 нФVds = 15V
1.46 нФVds = 15V
1.46 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<12 А
<12 А
<12 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<9.1 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<9.1 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<9.1 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.2 Вт
<2.2 Вт
<2.2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.45 нФVds = 13V
1.45 нФVds = 13V
1.45 нФVds = 13V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6.3 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6.3 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6.3 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier