IRF6621

IRF6621, IRF6621TR1, IRF6621TR1PBF, IRF6621TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6621TR1IRF6621TR1PBFIRF6621TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric SQ
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.46 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<12 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<9.1 мОмId, Vgs = 12A, 10V
Заряд затвору
QG
17.5 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate