IRF6619TR1PBF

IRF6619, IRF6619TR1, IRF6619TR1PBF, IRF6619TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6619TR1IRF6619TR1PBFIRF6619TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric MX
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
5.04 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<30 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвору
QG
57 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate