MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
68 нCVgs = 10V
60 нCVgs = 10V
68 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<125 Вт
<139 Вт
<3.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.3 нФVds = 25V
1.6 нФVds = 25V
1.3 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<14 А
<14 А
<14 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<280 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
<280 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<280 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
HEXFET®
45 нCVgs = 4.5V
Standard
 
<3.6 Вт
 
 
 
3.44 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<20 В
<26 А
 
 
N-ch
<3.8 мОмId, Vgs = 26A, 10V
 
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
HEXFET®
18 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
 
<2.3 Вт
 
 
 
1.42 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<11 А
 
 
N-ch
<13 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MQ
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
72 нCVgs = 4.5V
72 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<3.6 Вт
<3.6 Вт
 
 
 
 
 
 
6.59 нФVds = 15V
6.59 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<27 А
<27 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.4 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.4 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
26 нCVgs = 4.5V
26 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.3 Вт
<2.3 Вт
 
 
 
 
 
 
2.27 нФVds = 15V
2.27 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<11.5 мОмId, Vgs = 12A, 7V
<11.5 мОмId, Vgs = 12A, 7V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MQ
DirectFET™ Isometric MQ
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
75 нCVgs = 4.5V
75 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<3.6 Вт
<3.6 Вт
 
 
 
 
 
 
6.93 нФVds = 15V
6.93 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<27 А
<27 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.3 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.3 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
24 нCVgs = 4.5V
24 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
 
 
 
 
2.12 нФVds = 15V
2.12 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<9 мОмId, Vgs = 13A, 10V
<9 мОмId, Vgs = 13A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric ST
DirectFET™ Isometric ST
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
69 нCVgs = 4.5V
69 нCVgs = 4.5V
69 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.29 нФVds = 10V
6.29 нФVds = 10V
6.29 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<31 А
<31 А
<31 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2 мОмId, Vgs = 31A, 10V
<2 мОмId, Vgs = 31A, 10V
<2 мОмId, Vgs = 31A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
DirectFET™ Isometric MT
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.2 Вт
<2.2 Вт
<2.2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.52 нФVds = 10V
1.52 нФVds = 10V
1.52 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
DirectFET™ Isometric SQ
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
56 нCVgs = 4.5V
56 нCVgs = 4.5V
56 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<3.9 Вт
<3.9 Вт
<3.9 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.86 нФVds = 15V
4.86 нФVds = 15V
4.86 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<32 А
<32 А
<32 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.6 мОмId, Vgs = 27A, 10V
<2.6 мОмId, Vgs = 27A, 10V
<2.6 мОмId, Vgs = 27A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
DirectFET™ Isometric MX
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier