На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF6601 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DirectFET™ Isometric MT |
Виробник | Виробник | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.6 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.44 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <26 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.8 мОмId, Vgs = 26A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 45 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |