IRF6611TR1

IRF6611, IRF6611TR1, IRF6611TR1PBF, IRF6611TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6611TR1IRF6611TR1PBFIRF6611TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric MX
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<3.9 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.86 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<32 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.6 мОмId, Vgs = 27A, 10V
Заряд затвору
QG
56 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate