MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<2.1 А
<2.1 А
<2.1 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<210 мОмId, Vgs = 2.1A, 10V
<210 мОмId, Vgs = 2.1A, 10V
<210 мОмId, Vgs = 2.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<5.8 А
<5.8 А
<5.8 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<45 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
23 нCVgs = 10V
23 нCVgs = 10V
23 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
660 пФVds = 25V
660 пФVds = 25V
660 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<3.6 А
<3.6 А
<3.6 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<73 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<73 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<73 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
44 нCVgs = 10V
44 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.464 нФVds = 25V
1.464 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<4.9 А
<4.9 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<29.16 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<29.16 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SO-8
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
650 пФVds = 25V
650 пФVds = 25V
650 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<7.3 А
<7.3 А
<7.3 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.4 А
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
210 пФVds = 25V
210 пФVds = 25V
210 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<2.4 А
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
8.2 нCVgs = 4.5V
8.2 нCVgs = 4.5V
8.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 15V
240 пФVds = 15V
240 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<1.7 А
<1.7 А
<1.7 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
11 нCVgs = 10V
11 нCVgs = 10V
11 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
180 пФVds = 25V
180 пФVds = 25V
180 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<1.7 А
<1.7 А
<1.7 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
<270 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
260 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.4 А
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<140 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<140 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
<140 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro8™
Micro8™
Micro8™
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier