На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7379IPBF | IRF7379PBF | IRF7379QPBF | IRF7379QTRPBF | IRF7379TR | IRF7379TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 520 пФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.8 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <4.3 А | |||||