На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7380PBF | IRF7380QPBF | IRF7380QTRPBF | IRF7380TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SO-8 | SO-8 |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 660 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <73 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 23 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||