MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
 
Standard
 
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<7.9 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<36 мОмId, Vgs = 7.9A, 4.5V
 
Поверхневий
FlipFet™-16
International Rectifier
 
18 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<2.5 Вт
 
 
 
950 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<20 В
<6.5 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<40 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
 
Поверхневий
6-FlipFet™
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
15 нCVgs = 10V
15 нCVgs = 10V
15 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
320 пФVds = 15V
320 пФVds = 15V
320 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<3.5 А
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
6.6 нCVgs = 10V
Standard
 
<2 Вт
 
 
 
120 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<50 В
<2 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<300 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
290 пФVds = 25V
290 пФVds = 25V
290 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<3 А
<3 А
<3 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<130 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
290 пФVds = 15V
290 пФVds = 15V
290 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.3 А
<2.3 А
<2.3 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
330 пФVds = 15V
330 пФVds = 15V
330 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<3.5 А
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<100 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
25 нCVgs = 10V
Standard
 
<2 Вт
 
 
 
300 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<20 В
<3 А
 
 
N and P-Channel
<125 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
20 нCVgs = 4.5V
20 нCVgs = 4.5V
20 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
660 пФVds = 15V
660 пФVds = 15V
660 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<5.2 А
<5.2 А
<5.2 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<50 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
<50 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
<50 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<4.9 А
<4.9 А
<4.9 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<50 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V
<50 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V
<50 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier