На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7105PBF | IRF7105QPBF | IRF7105QTRPBF | IRF7105TR | IRF7105TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 330 пФVds = 15V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.5 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 1A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 27 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2.3 А | ||||