На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7103IPBF | IRF7103PBF | IRF7103Q | IRF7103QTR | IRF7103QTRPBF | IRF7103TR | IRF7103TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <2 Вт | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 3A, 10V | ||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||||