MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
TPS1100D
TPS1100D
TPS1100DG4
▾
 
 
 
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<791 мВт
<791 мВт
<791 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<1.6 А
<1.6 А
<1.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
TPS1100P
TPS1100PW
TPS1100PWG4
▾
 
 
 
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<504 мВт
<504 мВт
<504 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<1.27 А
<1.27 А
<1.27 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
8-TSSOP
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
TPS1101D
TPS1101D
TPS1101DG4
▾
 
 
 
11.25 нCVgs = 10V
11.25 нCVgs = 10V
11.25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<791 мВт
<791 мВт
<791 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<2.3 А
<2.3 А
<2.3 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
TPS1101P
TPS1101PWR
TPS1101PWRG4
 
 
 
11.25 нCVgs = 10V
11.25 нCVgs = 10V
11.25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<710 мВт
<710 мВт
<710 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<2.18 А
<2.18 А
<2.18 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
16-TSSOP
16-TSSOP
16-TSSOP
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
US5U1
US5U1TR
 
 
2.2 нCVgs = 4.5V
2.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
80 пФVds = 10V
80 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<240 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<240 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
US5U29
US5U29TR
 
 
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 10V
150 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
US5U2
US5U2TR
 
 
2 нCVgs = 5V
2 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
70 пФVds = 10V
70 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.4 А
<1.4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<240 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
<240 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
US5U30
US5U30TR
 
 
2.1 нCVgs = 4.5V
2.1 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 10V
150 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
US5U35
US5U35TR
 
 
1.7 нCVgs = 5V
1.7 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 10V
120 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<700 мА
<700 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<800 мОмId, Vgs = 700mA, 10V
<800 мОмId, Vgs = 700mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
US5U38
US5U38TR
 
 
2.1 нCVgs = 4.5V
2.1 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 10V
150 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<390 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT5
TUMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor