TPS1101P

TPS1101P, TPS1101PWR, TPS1101PWRG4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрTPS1101PWRTPS1101PWRG4
Корпус мікросхеми
Корпус
16-TSSOP
Виробник
Виробник
Texas Instruments
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<710 мВт
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<15 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.18 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
Заряд затвору
QG
11.25 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate