На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | US5U35TR | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TUMT5 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 120 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <45 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <700 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 700mA, 10V |
Заряд затвору | QG | 1.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |