MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
59 нCVgs = 4.5V
59 нCVgs = 4.5V
59 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<135 Вт
<135 Вт
<135 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.88 нФVds = 15V
4.88 нФVds = 15V
4.88 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<160 А
<160 А
<160 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
47 нCVgs = 10V
47 нCVgs = 10V
47 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<79 Вт
<79 Вт
<79 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
660 пФVds = 50V
660 пФVds = 50V
660 пФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<20 А
<20 А
<20 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<105 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
 
180 нCVgs = 4.5V
162 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<380 Вт
<375 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10.99 нФVds = 40V
10.315 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
 
<240 А
<195 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<1.4 мОмId, Vgs = 200A, 10V
<1.7 мОмId, Vgs = 195A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
D²Pak, TO-263 (6 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
 
160 нCVgs = 4.5V
140 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<380 Вт
<380 Вт
<380 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
11.27 нФVds = 50V
11.21 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
 
<240 А
<195 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<1.9 мОмId, Vgs = 180A, 10V
<2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
 
130 нCVgs = 4.5V
130 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<370 Вт
<370 Вт
<370 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
11.49 нФVds = 50V
11.36 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
 
<180 А
<180 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<3.9 мОмId, Vgs = 110A, 10V
<4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
D²Pak, TO-263 (6 leads + tab, variant)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
8 нCVgs = 5V
8 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<23 Вт
<23 Вт
 
 
 
 
 
 
235 пФVds = 25V
235 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<440 мОмId, Vgs = 2.25A, 5V
<440 мОмId, Vgs = 2.25A, 5V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
27 нCVgs = 5V
27 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<36 Вт
<36 Вт
 
 
 
 
 
 
755 пФVds = 25V
755 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 3.25A, 5V
<400 мОмId, Vgs = 3.25A, 5V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
56 нCVgs = 5V
56 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.705 нФVds = 25V
1.705 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<9.8 А
<9.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<180 мОмId, Vgs = 4.9A, 5V
<180 мОмId, Vgs = 4.9A, 5V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
HEXFET®
HEXFET®
162 нCVgs = 4.5V
162 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<375 Вт
<375 Вт
 
 
 
 
 
 
10.315 нФVds = 25V
10.315 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<195 А
<195 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.7 мОмId, Vgs = 195A, 10V
<1.7 мОмId, Vgs = 195A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-262
TO-262
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
140 нCVgs = 4.5V
140 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<380 Вт
<380 Вт
 
 
 
 
 
 
11.21 нФVds = 50V
11.21 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<195 А
<195 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V
<2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-262
TO-262
International Rectifier
International Rectifier