На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLS4030-7PPBF | IRLS4030PBF | IRLS4030TRL7PP | IRLS4030TRLPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (6 leads + tab, variant) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <370 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.49 нФVds = 50V | 11.36 нФVds = 50V | 11.49 нФVds = 50V | 11.36 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <180 А | <180 А | <190 А | <180 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.9 мОмId, Vgs = 110A, 10V | <4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V | <3.9 мОмId, Vgs = 110A, 10V | <4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 4.5V | 130 нCVgs = 4.5V | 140 нCVgs = 4.5V | 130 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||