На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLS3036-7PPBF | IRLS3036PBF | IRLS3036TRL7PP | IRLS3036TRLPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <380 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.27 нФVds = 50V | 11.21 нФVds = 50V | 11.27 нФVds = 50V | 11.21 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <240 А | <195 А | <240 А | <195 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.9 мОмId, Vgs = 180A, 10V | <2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V | <1.9 мОмId, Vgs = 180A, 10V | <2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 160 нCVgs = 4.5V | 140 нCVgs = 4.5V | 160 нCVgs = 4.5V | 140 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||