Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
4.75 нФVds = 10V
4.75 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.7 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.7 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
<15 Вт
<15 Вт
 
 
 
 
 
 
1.65 нФVds = 10V
1.65 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
3.2 нФVds = 10V
3.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
4.5 нФVds = 10V
4.5 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<60 А
<60 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
6.2 нФVds = 10V
6.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<45 А
<45 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.8 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V
<4.8 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
 
<30 Вт
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.5 нФVds = 10V
6.5 нФVds = 10V
6.5 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<25 А
<25 А
<25 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<16 мОмId, Vgs = 12.5A, 10v
<16 мОмId, Vgs = 12.5A, 10v
<16 мОмId, Vgs = 12.5A, 10v
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
 
<20 Вт
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.2 нФVds = 10V
3.2 нФVds = 10V
3.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<27.5 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<27.5 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<27.5 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
2.45 нФVds = 10V
2.45 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.1 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<6.1 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
 
 
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7.75 нФVds = 10V
7.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<60 А
<60 А
<60 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<2.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
LFPAK
LFPAK-i
Renesas Technology America
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
 
<30 Вт
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7.6 нФVds = 10V
7.6 нФVds = 10V
7.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<60 А
<60 А
<60 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
Renesas Technology America