На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HAT2164H | HAT2164H-EL-E | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | LFPAK | |
Виробник | Виробник | Renesas Technology America | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <30 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.6 нФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <60 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |