HAT2137

HAT2137, HAT2137H

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHAT2137H
Корпус мікросхеми
Корпус
LFPAK
Виробник
Виробник
Renesas Technology America
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<30 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
6.2 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<45 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4.8 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V
Заряд затвору
QG
95 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate