Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
3.3 нФVds = 10V
3.3 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<17 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
<17 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SSOT, SuperSOT-8
8-SSOT, SuperSOT-8
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
4.481 нФVds = 10V
4.481 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<12 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
<12 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SSOT, SuperSOT-8
8-SSOT, SuperSOT-8
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
5.35 нФVds = 6V
5.35 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<11 А
<11 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<9 мОмId, Vgs = 11A, 4.5V
<9 мОмId, Vgs = 11A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SSOT, SuperSOT-8
8-SSOT, SuperSOT-8
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
4.951 нФVds = 10V
4.951 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<11 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
<11 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SSOT, SuperSOT-8
8-SSOT, SuperSOT-8
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
2.01 нФVds = 15V
2.01 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<19 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SSOT, SuperSOT-8
8-SSOT, SuperSOT-8
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
<1.8 Вт
 
 
 
1.884 нФVds = 75V
 
 
 
 
 
<150 В
<4.1 А
 
 
N-ch
<78 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
 
<1.8 Вт
 
 
 
1.884 нФVds = 75V
 
 
 
 
 
<150 В
<4.1 А
 
 
N-ch
<78 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
 
<1.8 Вт
 
 
 
1.292 нФVds = 100V
 
 
 
 
 
<200 В
<3 А
 
 
N-ch
<128 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
 
<1.8 Вт
 
 
 
1.292 нФVds = 100V
 
 
 
 
 
<200 В
<3 А
 
 
N-ch
<128 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
 
<2.5 Вт
 
 
 
2.05 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
<150 В
<4.9 А
 
 
N-ch
<47 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
Fairchild Semiconductor