На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDR858P | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SSOT, SuperSOT-8 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <900 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.01 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <19 мОмId, Vgs = 8A, 10V |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |