На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS2170N3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.8 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.292 нФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <128 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |