Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<750 мА
<750 мА
 
 
 
 
<9.2 В
<9.2 В
<1.9 Вт
<1.9 Вт
 
 
>80100mA, 3V
>80100mA, 3V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Mini 3P
Mini 3P
NEC
NEC
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
16 дБ
16 дБ
16 дБ
 
 
 
13 dBm
13 dBm
13 dBm
<35 мА
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
 
 
<4.3 В
<4.3 В
<4.3 В
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
>2206mA, 2V
>2206mA, 2V
>2206mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мдБ ~ 950 мдБ2.4GHz ~ 5.2GHz
600 мдБ ~ 950 мдБ2.4GHz ~ 5.2GHz
600 мдБ ~ 950 мдБ2.4GHz ~ 5.2GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
M05
M05
NEC
NEC
NEC
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ ~ 17.5 дБ
15 дБ ~ 17.5 дБ
 
 
12.5 dBm
12.5 dBm
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
<4.3 В
<4.3 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>2206mA, 2V
>2206mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мдБ ~ 850 мдБ2GHz
600 мдБ ~ 850 мдБ2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
M14
M14
NEC
NEC
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ
15 дБ
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<360 мВт
<360 мВт
 
 
>505mA, 6V
>505mA, 6V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
1.4 дБ ~ 2 дБ1GHz ~ 2GHz
1.4 дБ ~ 2 дБ1GHz ~ 2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<365 мВт
<365 мВт
 
 
>505mA, 6V
>505mA, 6V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
1.3 дБ ~ 2 дБ1GHz ~ 2GHz
1.3 дБ ~ 2 дБ1GHz ~ 2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 дБ ~ 26 дБ
14 дБ ~ 26 дБ
14 дБ ~ 26 дБ
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>208mA, 10V
>208mA, 10V
>208mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.5 ГГц
1.5 ГГц
1.5 ГГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ
15 дБ
15 дБ
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>253mA, 1V
>253mA, 1V
>253mA, 1V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 ГГц
2 ГГц
2 ГГц
 
 
 
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ
15 дБ
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>203mA, 1V
>203mA, 1V
 
 
 
 
 
 
600 МГц
600 МГц
 
 
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>505mA, 6V
>505mA, 6V
 
 
 
 
 
 
8.5 ГГц
8.5 ГГц
 
 
1.5 дБ ~ 2.1 дБ1GHz ~ 2GHz
1.5 дБ ~ 2.1 дБ1GHz ~ 2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors