На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NESG3031M05-A | NESG3031M05-T1-A | NESG3031M14-A | NESG3031M14-T3-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | M05 | M05 | M14 | M14 |
Виробник | Виробник | NEC | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.3 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >2206mA, 2V | |||
Коефіцієнт шума | NF | 600 мдБ ~ 950 мдБ2.4GHz ~ 5.2GHz | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 16 дБ | |||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 13 dBm | |||