На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NESG3032M14-T3-A | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | M14 |
Виробник | Виробник | NEC |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.3 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >2206mA, 2V |
Коефіцієнт шума | NF | 600 мдБ ~ 850 мдБ2GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15 дБ ~ 17.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 12.5 dBm |