Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14.5 дБ ~ 9 дБ
14.5 дБ ~ 9 дБ
 
 
 
 
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<800 мВт
<800 мВт
 
 
>7050mA, 8V
>7050mA, 8V
 
 
 
 
 
 
7.5 ГГц
7.5 ГГц
 
 
1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>4050mA, 5V
>4050mA, 5V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 дБ ~ 8 дБ
14 дБ ~ 8 дБ
 
 
 
 
<210 мА
<210 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>7070mA, 8V
>7070mA, 8V
 
 
 
 
 
 
5.5 ГГц
5.5 ГГц
 
 
2 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
2 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>40200mA, 2V
>40200mA, 2V
 
 
 
 
 
 
1.9 ГГц
1.9 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-343R
SOT-343R
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
12.5 дБ
12.5 дБ
 
 
 
 
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>75200mA, 8V
>75200mA, 8V
 
 
 
 
 
 
5.5 ГГц
5.5 ГГц
 
 
1.7 дБ900MHz
1.7 дБ900MHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
18 дБ
18 дБ
 
 
 
 
<6.5 мА
<6.5 мА
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<32 мВт
<32 мВт
 
 
>50500µA, 1V
>50500µA, 1V
 
 
 
 
 
 
5 ГГц
5 ГГц
 
 
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
18.3 дБ
18.3 дБ
18.3 дБ
 
 
 
1.8 dBm
1.8 dBm
1.8 dBm
<10 мА
<10 мА
<10 мА
 
 
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<6 В
<60 мВт
<60 мВт
<60 мВт
 
 
 
>605mA, 3V
>605mA, 3V
>605mA, 3V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 ГГц
14 ГГц
14 ГГц
 
 
 
1 дБ2GHz
1 дБ2GHz
1 дБ2GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-343R
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>2570mA, 10V
>2570mA, 10V
 
 
 
 
 
 
5 ГГц
5 ГГц
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
18.3 дБ
18.3 дБ
18.3 дБ
 
 
 
8.7 dBm
8.7 dBm
8.7 dBm
<35 мА
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<6 В
<210 мВт
<210 мВт
<210 мВт
 
 
 
>6015mA, 3V
>6015mA, 3V
>6015mA, 3V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 ГГц
14 ГГц
14 ГГц
 
 
 
1.1 дБ2GHz
1.1 дБ2GHz
1.1 дБ2GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-343R
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<18 В
<18 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>25100mA, 10V
>25100mA, 10V
 
 
 
 
 
 
4 ГГц
4 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors