BFG35,115

BFG35, BFG35,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBFG35,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<150 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<18 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25100mA, 10V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
4 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB