На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFG196E6327 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <800 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >7050mA, 8V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 7.5 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 14.5 дБ ~ 9 дБ |