Одиночні pre-biased - Elcomps.com
Всього знайдено 2834 компонентів
ЗображенняІм'яRBRE-BICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
 
47 кОм
47 кОм
 
47 кОм
47 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<150 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
 
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
100 кОм
100 кОм
100 кОм
 
100 кОм
100 кОм
 
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
<150 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
<150 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
<150 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
SC-89
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2.2 кОм
2.2 кОм
2.2 кОм
 
2.2 кОм
2.2 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<150 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>30Ic, Vce = 20mA, 5V
>30Ic, Vce = 20mA, 5V
 
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
SC-89
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
22 кОм
22 кОм
22 кОм
 
22 кОм
22 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<150 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>60Ic, Vce = 5mA, 5V
>60Ic, Vce = 5mA, 5V
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
4.7 кОм
4.7 кОм
4.7 кОм
 
4.7 кОм
4.7 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>30Ic, Vce = 10mA, 5V
>30Ic, Vce = 10mA, 5V
 
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
SC-89
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
47 кОм
47 кОм
47 кОм
 
47 кОм
47 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
>80Ic, Vce = 5mA, 5V
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
Поверхневий
Поверхневий
 
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2.2 кОм
2.2 кОм
 
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1 кОм
1 кОм
1 кОм
 
1 кОм
1 кОм
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<250 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
>33Ic, Vce = 50mA, 5V
>33Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2.2 кОм
2.2 кОм
2.2 кОм
 
2.2 кОм
2.2 кОм
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<250 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
>40Ic, Vce = 50mA, 5V
>40Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
47 кОм
47 кОм
 
 
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP Pre-Biased
PNP Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 мкА
1 мкА
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini-6 (SOT-666)
SS Mini-6 (SOT-666)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors