PDTC114EE,115

PDTC114, PDTC114EE,115, PDTC114EK,115, PDTC114EK,135, PDTC114EM,315, PDTC114ES,126, PDTC114ET,215, PDTC114ET,235, PDTC114EU,115, PDTC114EU,135, PDTC114TE,115, PDTC114TEF,115, PDTC114TK,115, PDTC114TM,315, PDTC114TS,126, PDTC114TT,215, PDTC114TT,235, PDTC114TU,115, PDTC114YE,115, PDTC114YE,135, PDTC114YEF,115, PDTC114YK,115, PDTC114YM,315, PDTC114YS,126, PDTC114YT,215, PDTC114YU,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPDTC114EE,115PDTC114EK,115PDTC114EK,135PDTC114EM,315PDTC114ES,126PDTC114ET,215PDTC114ET,235PDTC114EU,115PDTC114EU,135PDTC114TE,115PDTC114TEF,115PDTC114TK,115PDTC114TM,315PDTC114TS,126PDTC114TT,215PDTC114TT,235PDTC114TU,115PDTC114YE,115PDTC114YE,135PDTC114YEF,115PDTC114YK,115PDTC114YM,315PDTC114YS,126PDTC114YT,215PDTC114YU,115
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
1 мкА
Опір, підключений до бази
RB
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм