PDTC143EE,115

PDTC143, PDTC143EE,115, PDTC143EEF,115, PDTC143EK,115, PDTC143EM,315, PDTC143ES,126, PDTC143ET,215, PDTC143ET,235, PDTC143EU,115, PDTC143TE,115, PDTC143TK,115, PDTC143TM,315, PDTC143TS,126, PDTC143TT,215, PDTC143TT,235, PDTC143TU,115, PDTC143XE,115, PDTC143XEF,115, PDTC143XK,115, PDTC143XM,315, PDTC143XS,126, PDTC143XT,215, PDTC143XU,115, PDTC143ZE,115, PDTC143ZEF,115, PDTC143ZK,115, PDTC143ZM,315, PDTC143ZS,126, PDTC143ZT,215, PDTC143ZT,235, PDTC143ZU,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPDTC143EE,115PDTC143EEF,115PDTC143EK,115PDTC143EM,315PDTC143ES,126PDTC143ET,215PDTC143ET,235PDTC143EU,115PDTC143TE,115PDTC143TK,115PDTC143TM,315PDTC143TS,126PDTC143TT,215PDTC143TT,235PDTC143TU,115PDTC143XE,115PDTC143XEF,115PDTC143XK,115PDTC143XM,315PDTC143XS,126PDTC143XT,215PDTC143XU,115PDTC143ZE,115PDTC143ZEF,115PDTC143ZK,115PDTC143ZM,315PDTC143ZS,126PDTC143ZT,215PDTC143ZT,235PDTC143ZU,115
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
1 мкА
Опір, підключений до бази
RB
4.7 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм