Збірки біполярних транзисторів - Elcomps.com
Всього знайдено 862 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
5
<20 мА
 
 
<15 В
<85 мВт
 
>90Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
<1.15 ГГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
16-SOIC (3.9мм ширина)
Intersil
2
2
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-26
SOT-26
Diodes Inc
Diodes Inc
2
2
2
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
 
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
 
Micro Commercial Co
Diodes Inc
2
2
2
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
 
<225 мВт
<200 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
 
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-26
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
 
Diodes Inc
Micro Commercial Co
2
2
2
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
 
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нА
<50 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-26
SOT-26
 
Diodes Inc
Diodes Inc
2
2
2
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<160 В
<160 В
<160 В
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
 
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-26
SOT-26
 
Diodes Inc
Diodes Inc
2
2
2
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
2
2
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor