На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMMT5551-7 | DMMT5551-7-F | DMMT5551S-7-F | DMMT5551-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-26 | SOT-26 | SOT-26 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <160 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||