DMMT5401-7

DMMT5401, DMMT5401-7, DMMT5401-7-F, DMMT5401-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDMMT5401-7DMMT5401-7-FDMMT5401-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-26SOT-26SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<150 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 нА<50 нА(не задано)
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2