Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
PNP Darlington
PNP Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
<36 В
<36 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-220-3 (Straight Leads)
TO-220-3 (Straight Leads)
National Semiconductor
National Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<36 В
<36 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
National Semiconductor
National Semiconductor
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<35 В
<35 В
<35 В
 
<625 мВт
<1.75 Вт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 1.5A, 1.5V
>100Ic, Vce = 1A, 1.5V
<310 мВIb, Ic = 20mA, 2A
<310 мВIb, Ic = 20mA, 2A
<310 мВIb, Ic = 20mA, 2A
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
6-TSOP
6-TSOP
6-TSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
<375 мВIb, Ic = 15mA, 750mA
<375 мВIb, Ic = 15mA, 750mA
 
 
 
 
<450 МГц
<450 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
<225 мВIb, Ic = 15mA, 750mA
<225 мВIb, Ic = 15mA, 750mA
 
 
 
 
<500 МГц
<500 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<15 А
<15 А
 
 
 
 
<700 В
<700 В
<57 Вт
<57 Вт
 
 
>5.5Ic, Vce = 5A, 5V
>5.5Ic, Vce = 5A, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 1.25A, 5A
<1.5 ВIb, Ic = 1.25A, 5A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 мкА
<200 мкА
В отверстия
В отверстия
ISOWATT218FX
ISOWATT218FX
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<10 А
<10 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
<700 В
<700 В
<700 В
 
<40 Вт
<57 Вт
 
 
 
>5.5Ic, Vce = 5A, 5V
>5.5Ic, Vce = 5A, 5V
>5.5Ic, Vce = 5A, 5V
<2 ВIb, Ic = 1.25A, 5A
<2 ВIb, Ic = 1.25A, 5A
<2 ВIb, Ic = 1.25A, 5A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<2 мА
<2 мА
<2 мА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
TO-220FP
ISOWATT218FX
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics